?在芯片測(cè)試過(guò)程中，電流消耗是評(píng)估芯片性能和質(zhì)量的重要指標(biāo)之一。準(zhǔn)確分析電流消耗數(shù)據(jù)對(duì)于發(fā)現(xiàn)潛在的芯片缺陷、優(yōu)化設(shè)計(jì)以及確保產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要。JMP 箱線圖功能為我們提供了一種直觀有效的方式來(lái)洞察電流消耗數(shù)據(jù)的分布特征和異常情況。

　　本實(shí)例旨在通過(guò) JMP 箱線圖對(duì)芯片測(cè)試環(huán)節(jié)中的電流消耗數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，以實(shí)現(xiàn)以下目的：

　　評(píng)估不同芯片型號(hào)或批次的電流消耗分布情況，包括均值、中位數(shù)、四分位數(shù)等統(tǒng)計(jì)量。

　　檢測(cè)電流消耗數(shù)據(jù)中的異常值和離群點(diǎn)，分析其可能的原因，如芯片故障、測(cè)試誤差等。

　　比較不同測(cè)試條件（如電壓、溫度）下的電流消耗差異，為優(yōu)化測(cè)試流程和環(huán)境提供依據(jù)。

　　確定電流消耗是否符合設(shè)計(jì)規(guī)格和預(yù)期范圍，評(píng)估芯片的質(zhì)量和性能一致性。

　　以下是芯片在測(cè)試環(huán)節(jié)中的電流消耗樣本數(shù)據(jù)（單位：毫安），同時(shí)還包括對(duì)應(yīng)的芯片型號(hào)、批次以及測(cè)試條件等信息米樂(lè)。

　　打開(kāi) JMP 軟件，新建一個(gè)數(shù)據(jù)表。

　　將上述樣本數(shù)據(jù)中的“芯片型號(hào)”、“批次”、“測(cè)試條件”和“電流消耗”四列數(shù)據(jù)輸入或粘貼到數(shù)據(jù)表中。

　　選擇“分析”菜單，點(diǎn)擊“圖形”>“圖形生成器”，再選擇“箱線圖”。

　　在彈出的“箱線圖”對(duì)話框中：

　　將“電流消耗”變量拖放到“Y，列”框中。

　　將“芯片型號(hào)”、“批次”和“測(cè)試條件”變量依次拖放到“分組”框中。

　　點(diǎn)擊“確定”，生成箱線圖。

　　芯片型號(hào)的影響

　　觀察不同芯片型號(hào)對(duì)應(yīng)的箱線圖。若芯片型號(hào) A 的箱體位置明顯高于芯片型號(hào) B，說(shuō)明芯片型號(hào) A 的電流消耗普遍較大。同時(shí)，比較箱體的長(zhǎng)度和 whiskers 的范圍，可以判斷不同型號(hào)芯片電流消耗的離散程度和穩(wěn)定性。

　　例如，芯片型號(hào) A 的中位數(shù)為 10.2 毫安，四分位距為 0.5 毫安；芯片型號(hào) B 的中位數(shù)為 8.5 毫安，四分位距為 0.4 毫安。這表明芯片型號(hào) A 的電流消耗整體高于芯片型號(hào) B，且芯片型號(hào) B 的電流消耗更穩(wěn)定。

　　批次差異

　　分析同一芯片型號(hào)不同批次的箱線圖。若批次 1 和批次 2 的箱線圖存在顯著差異，可能反映出生產(chǎn)過(guò)程中的變化或原材料的不一致性。

　　比如，對(duì)于芯片型號(hào) A，批次 1 的箱線圖較為緊湊，而批次 2 的箱線圖較為分散，這可能提示批次 2 的生產(chǎn)過(guò)程需要進(jìn)一步優(yōu)化。

　　測(cè)試條件的比較

　　對(duì)比不同測(cè)試條件下的箱線圖。如果測(cè)試條件 1 和測(cè)試條件 2 的箱線圖有明顯不同，說(shuō)明測(cè)試條件對(duì)電流消耗有顯著影響。米樂(lè)m6官網(wǎng)登錄入口

　　假設(shè)在測(cè)試條件 1 下，電流消耗的箱體位置較高，而在測(cè)試條件 2 下較低，這意味著測(cè)試條件 1 可能導(dǎo)致芯片的電流消耗增加。

　　異常值檢測(cè)

　　注意箱線圖中的異常值（超出 whiskers 范圍的數(shù)據(jù)點(diǎn)）。異常值可能表示芯片存在故障、測(cè)試設(shè)備異?；蚱渌厥馇闆r。

　　例如，在芯片型號(hào) B 的批次 2 中發(fā)現(xiàn)一個(gè)電流消耗為 9.8 毫安的異常值，遠(yuǎn)高于該批次的其他數(shù)據(jù)，需要進(jìn)一步檢查該芯片的測(cè)試記錄和物理特性。

　　與規(guī)格的對(duì)比

　　結(jié)合芯片的設(shè)計(jì)規(guī)格和預(yù)期電流消耗范圍，評(píng)估箱線圖中的數(shù)據(jù)分布。若大部分?jǐn)?shù)據(jù)在規(guī)格范圍內(nèi)，但存在少數(shù)超出范圍的值，需要關(guān)注這些異常情況并分析原因。

　　假設(shè)芯片的設(shè)計(jì)規(guī)格要求電流消耗在 7 - 10 毫安之間，對(duì)于超出此范圍的數(shù)據(jù)點(diǎn)，需要采取相應(yīng)的措施，如重新測(cè)試、改進(jìn)設(shè)計(jì)或調(diào)整生產(chǎn)工藝。

　　通過(guò) JMP 箱線圖分析，我們清楚地了解了不同芯片型號(hào)、批次和測(cè)試條件下電流消耗的分布特征和差異。

　　發(fā)現(xiàn)了一些可能存在問(wèn)題的芯片（通過(guò)異常值和離群點(diǎn)體現(xiàn)），以及生產(chǎn)過(guò)程和測(cè)試環(huán)節(jié)中需要改進(jìn)的方面。

　　建議

　　對(duì)于電流消耗過(guò)高或過(guò)低的芯片型號(hào)，進(jìn)一步研究其設(shè)計(jì)和制造工藝，尋找優(yōu)化的可能性。

　　對(duì)出現(xiàn)異常值較多的批次，加強(qiáng)生產(chǎn)過(guò)程的監(jiān)控和質(zhì)量控制，排查潛在的問(wèn)題。

　　根據(jù)測(cè)試條件對(duì)電流消耗的影響，優(yōu)化測(cè)試流程和環(huán)境設(shè)置，以提高測(cè)試的準(zhǔn)確性和可靠性。

　　持續(xù)監(jiān)測(cè)芯片的電流消耗數(shù)據(jù)，利用箱線圖等工具進(jìn)行定期評(píng)估，確保產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性和一致性。